EDM - 2020

XXI Международная конференция молодых специалистов по микро/нанотехнологиям и электронным приборам

Город
Новосибирск, Россия
Место
НГТУ
Регистрация
26 Ноября — 28 Декабря 2019
29 Июн - 3 Июл 2020
НГТУ, Новосибирск, Россия

EDM - 2020

XXI Международная конференция молодых специалистов по микро/нанотехнологиям и электронным приборам

О мероприятии
Цель проведения
Обеспечение возможности наиболее быстрого и эффективного знакомства молодых специалистов с современными достижениями ведущих научных школ России и зарубежных стран, апробации новых научных результатов, развития культуры научно-исследовательской деятельности, обмена опытом, налаживания деловых и научных связей.

Участники
Молодые ученые в возрасте до 35 лет, аспиранты, магистранты, студенты старших курсов.
Приглашенные докладчики
Руководители научных школ, ведущие научные сотрудники, главные специалисты и руководители промышленных предприятий.

Рабочие языки
Русский, английский. 

Научные направления
Секция 1. Физика и технология полупроводников.
Председатель – Шварц Н.Л., к.ф.-м.н., с.н.с. 
На секции рассматриваются физические свойства полупроводников, диэлектриков (в т.ч. структур с пониженной размерностью: углеродных и кремниевых наноструктур, квантовых ям, квантовых проволок и точек), а также органических материалов, применяемых в наноэлектронике; идеи и возможности применения микро- и наноструктур для нужд человека; микросистемная техника, микроэлектромеханические системы, технологии их создания и исследования, исследование физических явлений, происходящих в них.

Секция 2. Радио и техника СВЧ. Информационные технологии и телекоммуникация. 
Председатель – Воробьева С.В., к.т.н., доц.
Секция концентрирует свои интересы на фундаментальных проблемах разработки и применения стандартов проводной и беспроводной связи; построении и эксплуатации локальных беспроводных сетей (WLAN) и сетей нового поколения (NGN); технологиях и устройствах кодирования и декодирования информации; разработке и эксплуатации антенно-фидерных систем, систем телерадиовещания, а также теле- и радиоприемного оборудования; разработке и применении технологий связи с подвижными объектами, в т.ч. с использованием систем глобального позиционирования; теории и технологиях фильтрации сигналов, а также теории и технологиях визуализации сигналов и системах, построенных на их основе.

Секция 3. Звуковые и ультразвуковые устройства: физика, электроника, применения. 
Председатель – Хмелев В.Н, д.т.н., проф. 
На секции рассматриваются вопросы физики формирования, распространения и контроля звуковых и ультразвуковых колебаний в различных средах, взаимодействия их с различными объектами; компьютерное моделирование процессов и конструирование источников ультразвукового излучения и электронных генераторов для проведения исследований, создания новых технологий и материалов.

Секция 4. Оптико-электронные приборы и системы: физика, электроника, применения. 
Председатель – Сыпин Е.В., к.т.н., доц.
На секции рассматриваются физические основы оптико-электронного приборостроения; принципы работы оптико-электронных приборов и систем (ОЭПиС) различного назначения; методы обработки сигналов и их выделения на фоне помех, применяемые в ОЭПиС; методы расчета и проектирования ОЭПиС; практическое применение ОЭПиС; технологии конструирования и изготовления ОЭПиС, а также физические основы функционирования, технологии изготовления и применение современных фоточувствительных приборов.

Секция 5. Силовая и энергетическая электроника. 
Председатель – Зиновьев Г.С., д.т.н., проф.
Область интересов секции: технологии преобразования качественных и количественных показателей электрической энергии, разработка математических моделей и анализ электромагнитных процессов в преобразователях электрической энергии, анализ процессов энергообмена между генераторами и нелинейными потребителями электрической энергии, математические методы анализа и синтеза электрических цепей с полупроводниковыми и электромеханическими преобразователями электрической энергии, схемы, устройства и системы силовой и энергетической электроники, особенности применения современных мощных высоковольтных полупроводниковых приборов и модулей на их основе (IGBT, IGCT, MOSFET), микропроцессорные устройства управления мощными преобразователями электрической энергии, способы построения систем компенсации неактивных составляющих мощности и методы их расчета, алгоритмы и устройства управления системами силовой и энергетической электроники, методы анализа и управления замкнутыми нелинейными импульсными системами регулирования с различного вида модуляцией.

Секция 6. Медицинская электроника. 
Председатель – Евтушенко Г.С., д.т.н., проф.
Область интересов секции включает аппаратные и программные средства для медицины, биофизики и экологии. На секции будут рассмотрены датчики, работающие на различных физических принципах, средства обработки сигналов, получаемых с медицинских датчиков, разработка новых медицинских приборов, построение биотехнических систем, вопросы телемедицины, внедрение технологии интернета вещей (IoT) в медицинские приборы и устройства.

Секция 7. Робототехника, мехатроника и автоматика. 
Председатель – Нос О.В., д.т.н., доц.
На секции рассматриваются вопросы аппаратного, информационного и алгоритмического обеспечения робототехнических и мехатронных систем, электротехнологических установок, исследованию их энергетических и динамических характеристик, а также решению прикладных задач в области автоматизации производственных процессов в различных отраслях промышленности.

Организаторы

Новосибирский государственный технический университет, Факультет радиотехники и электроники

Контактная информация

Адрес: 630073, Новосибирская обл., г. Новосибирск, проспект Карла Маркса, 20, НГТУ.
Телефон для справок: 
E-mail: edm.nstu@gmail.com

О партнёрах

Спонсоры
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Новосибирский государственный технический университет, г. Новосибирск IEEE Russia Siberia Section
Партнеры
Институт Физики Полупроводников Сибирского отделения российской академии наук, г. Новосибирск, Россия
Бийский технологический институт АлтГТУ, г.Бийск, Россия