← Назад к программе
Твердотельная наноэлектроника ч.2
Председатель подсекции: доц. Мартышов Михаил Николаевич
1Гылыджова Айджемал АшыровнаЭлектрические свойства наноструктрированных Барьеров Шоттки Pt-n-окисел-n-GaAs
2Ксенофонтова Полина ОлеговнаИсследование динамики филаментов в мемристивных ансамблях наночастиц
3Овезов Максат КемаловичПоликристаллические пленки слоистых перовскитов галогенида свинца с введением катиона моноэтаноламмония
4Пашикова Тачнабат ДортгулыевнаФотоэлектрические свойства диодов Шоттки Au-n-GaAs1-xSbx
5Рибенек Валерия АлександровнаИсследование характеристик светоизлучающих мемристоров на базе гетероперехода InGaN/GaN
6Саяров Ильдар РашидовичПолимерный композит с наночастицами кремния для фотоэлектронных устройств
7Цепкин Михаил ВикторовичПроблематика внедрения диэлектриков с низкой диэлектрической проницаемостью в современные интегральные схемы
8Черненко Сергей СергеевичОсобенности строения пленок SnOx на пористом кремнии, осажденных методом вакуумно-термического напыления
9Шедей Глеб ДмитриевичМемристивные стурктуры на основе поли-п-ксилилена в кроссбар геометрии
10Юкляевских Георгий АлександровичВлияние площади и геометрии контактов на биоподобные характеристики мемристивных структур на основе парилена
Твердотельная наноэлектроника ч.2
Когда
Во сколько
15:20 ‐ 17:20
Где
Физический Факультет, ауд. 4-28 (4 этаж)
119991, ГСП-1, Москва Ленинские горы, МГУ имени М.В.Ломоносова Дом 1, строение 2, Физический Факультет
Секция
Твердотельная наноэлектроника