← Назад к программе

Заседание подсекции Твердотельная наноэлектроника

Подсекция: Твердотельная наноэлектроника
Председатель подсекции: доц. Форш Павел Анатольевич
Дата и время работы подсекции: 13 апреля 2017 г. с 15:00
Место проведения: Физический факультет, ауд. Ц-25

№    ФИО докладчика    Название доклада
1.        Коц Иван Николаевич    Исследование параметров наноразмерного профилирования кремния методом фокусированных ионных пучков
2.        Орлов Василий Валерьевич    Моделирование статических радиационных токов утечки в современных наноэлектронных схемах
3.        Дорофеев Александр Андреевич    Кремниевый нанопровод как основа наноэлектромеханической системы
4.        Гельвер Евгений Сергеевич    Исследование методом комбинационного рассеяния света легированного аморфного кремния, модифицированного лазерным излучением.
5.        Кожемяко Анастасия Владимировна    Изучение профилей распределения внедрённой примеси, полученных в результате облучения монокристалла кремния ионами железа при энергиях 90 и 250 кэВ
6.        Гвинджилия Георгий Зурабиевич    Исследование сенсибилизации теплового воздействия высокочастотного электромагнитного излучения с помощью кремниевых наночастиц.
7.        Пылев Иван Сергеевич    Эталон нанометра
8.        Шестакова Людмила Михайловна    Емкостные измерения дельта-легированных слоев: метод теоремы Гаусса
9.        Бахов Валерий Андреевич    Квантовая оценка аморфности материала, на основе гидрогенизированного аморфного кремния
10.        Полякова Виктория Вадимовна    Формирование наноразмерных элементов лабораторий на кристалле методом локального анодного окисления поверхности кремниевой подложки
11.        Наташина Ульяна Александровна    Исследование структурных, оптических и биоактивных свойств кремниевых наночастиц, полученных измельчением массивов кремниевых нанонитей
12.        Мацукатова Анна Никосовна    Изучение влияния внешних факторов на параметры солнечных элементов с гетеропереходом аморфный-кристаллический кремний.


Подсекция: Твердотельная наноэлектроника
Председатель подсекции: ст. преп. Павликов Александр Владимирович
Дата и время работы подсекции: 13 апреля 2017 г. с 15:00
Место проведения: Физический факультет, ауд. Ц-41

№    ФИО докладчика    Название доклада
1.        Золотов Филипп Игоревич    Сверхпроводниковый детектор одиночных фотонов со входной полосой оптического излучения до 2.3 мкм
2.        Вахрина Евгения Вадимовна    Исследование методом ЭПР процессов накопления заряда в наногетероструктурах TiO2/MoO3
3.        Шулежко Вадим Владимирович    Дисперсионный транспорт носителей заряда в нанокристаллических полупроводниках: моделирование методом Монте-Карло
4.        Дюмин Вячеслав Сергеевич    Расчет параметров фоточувствительного прибора с зарядовой связью с электронным умножением
5.        Кочергин Артем Владимирович    Исследование электрофизических, оптических и газочувствительных свойств пленок оксида никеля
6.        Мельников Александр Евгеньевич    Разработка и изготовление тонкопленочных наноструктур для акустоэлектронных нанобиосенсоров
7.        Никируй Кристина Эрнестовна    Изучение электрофизических свойств мемристоров на основе нанокомпозита CoFeB/LiNbO3
8.        Суражевский Игорь Алексеевич    Разработка мемристивного кросс-бара типа 1T1M на основе нанокомпозита (Co41Fe39B20)x(LiNbO3)100-x
9.        Елопов Александр Владимирович    Фотолюминесценция квантовых точек селенида кадмия,  внедренных в жидкокристаллическую полимерную матрицу
10.        Huseynov Elchin Mammadali    Effect of neutron flux on temperature dependencies of permittivity of nanocrystalline silicon carbide (3C-SiC) particles
11.        Власов Иван Сергеевич    Применение различных аддитивных технологий для изготовления газовых сенсоров
12.        Яблокова Анастасия Николаевна    Исследование морфологии пленок на основе оксидов ванадия методом просвечивающей электронной микроскопии

Участники

Дюмин Вячеслав Сергеевич
Дюмин Вячеслав Сергеевич
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), Факультет электроники (ФЭЛ), Кафедра микро- и наноэлектроники (МНЭ), Санкт-Петербург, Россия (2019)
Мельников Александр Евгеньевич
Мельников Александр Евгеньевич
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников, Москва, Россия (2018)
Елопов Александр Владимирович
Елопов Александр Владимирович
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра общей физики и молекулярной электроники, Москва, Россия (2017)
Власов Иван Сергеевич
Власов Иван Сергеевич
Московский физико-технический институт, Москва, Россия (2020)
Дорофеев Александр Андреевич
Дорофеев Александр Андреевич
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Москва, Россия (2019)
Кононина Анастасия Владимировна
Кононина Анастасия Владимировна
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физической электроники, Москва, Россия (2021)
Коц Иван Николаевич
Коц Иван Николаевич
Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Ростов-на-Дону, Россия (2019)
Huseynov Elchin M
Huseynov Elchin M
Национальная академия наук Азербайджана, Баку, Азербайджан (2014)
Наташина Ульяна Александровна
Наташина Ульяна Александровна
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, Москва, Россия (2017)
Полякова Виктория Вадимовна
Полякова Виктория Вадимовна
Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Ростов-на-Дону, Россия (2019)
Заседание подсекции Твердотельная наноэлектроника
Когда
Во сколько

15:00 ‐ 18:00

Где

Физический факультет, ауд. Ц-25
ул. Ленинские Горы, д. 1, стр. 2

Где

Физический факультет, ауд. Ц-41
ул. Ленинские Горы, д. 1, стр. 2

Секция

Твердотельная наноэлектроника