← Назад к программе

Твердотельная наноэлектроника

 

Международная научная конференция

 студентов, аспирантов и молодых учёных

«Ломоносов-2018»

 


Секция: Физика

Подсекция: Твердотельная наноэлектроника

Председатель подсекции: доц. Форш Павел Анатольевич

Дата и время работы подсекции: 10 апреля 2018 г. с 14:30

Место проведения: Физический факультет, ауд. Ц-25

 

ФИО докладчика

Название доклада

1.        

Артемьева Ольга Сергеевна

Исследование методики определения зависимости ширины запрещенной зоны пористого кремния от морфологии

2.        

Никируй Кристина Эрнестовна

Применение мемристоров на основе нанокомпозита (CoFeB)x(LiNbO3)100-x в простейших нейроморфных системах

3.        

Арутинов Никита Эдуардович

Спектральные характеристики тонких пленок аморфного кремния

4.        

Китаева Вероника Юрьевна

Оптические свойства ансамблей кремниевых нанонитей, полученных металл-стимулированным химическим травлением с использованием фторида аммония.

5.        

Аникьева Анастасия Эдуардовна

Процессы переноса заряда на границе диэлектрик-полупроводник при облучении сфокусированным пучком ионов гелия

6.        

Ганеев Азамат Шамилевич

Фотоэлектрические и оптические свойства нанокомпозитов P3HT/nc-Si

7.        

Генералов Юрий Витальевич

Структурные исследования тонких пленок полученных методом ВЧ магнетронного распыления мишени на основе полидиацетилена.

8.        

Гребенкин Сергей Дмитриевич

Фазовый переход полупроводник-металл и "тристабильное" электрическое переключение в нанокристаллических пленках оксида ванадия на кремнии

9.        

Семенова Айжан Анатольевна

Синтез двумерного MoS2 методом химического осаждения из газовой фазы и исследование структурных свойств

10.    

Рыбин Максим Геннадьевич

Модификация оптических и электрофизических свойств CVD графена

11.    

Халиллоев Маҳкам Муҳаммадшарифович

Зависимость DIBL эффекта от боковых линейных размеров затвора и скрытого оксидного слоя  в  беспереходном МОП-транзисторе

12.    

Абдикаримов Азамат Эгамберганович

Влияние боковых линейных размеров затвора и скрытого оксидного слоя  на DIBL эффект   в  КНИ FinFET-транзисторе

13.    

Скобёлкина Анастасия Владимировна

Фотолюминесценция наночастиц, формируемых методом лазерной абляции пористого кремния

14.    

Королева Александра Алексеевна

Расчет параметров мемристивных структур на основе оксидов металлов, содержащих металлические наночастицы

15.    

Мацукатова Анна Никосовна

Электрические и фотоэлектрические свойства пленок нанокристаллического оксида индия, полученного при низких температурах

16.    

Елистратова Марина Анатольевна

Влияние гамма-облучения на свойства нанопористого кремния: роль кислорода в изменении его свойств

17.    

Елопов Александр Владимирович

Кинетические зависимости фотолюминесценции квантовых точек селенида кадмия,  внедренных в жидкокристаллическую полимерную матрицу

18.    

Huseynov Elchin M

Temperature - electrical conductivity dependencies of silicon carbide (3c-sic) nanoparticles exposed to neutron irradiation

 

Международная научная конференция

 студентов, аспирантов и молодых учёных

«Ломоносов-2018»

 


Секция: Физика

Подсекция: Твердотельная наноэлектроника

Председатель подсекции: доц. Павликов Александр Владимирович

Дата и время работы подсекции: 10 апреля 2018 г. с 14:00

Место проведения: Физический факультет, ауд. Ц-41

 

ФИО докладчика

Название доклада

1.        

Божьев Иван Вячеславович

Локальный полевой зонд на основе полевого транзистора с каналом-нанопроводом из КНИ с различной степенью легирования.

2.        

Пылев Иван Сергеевич

Сканирующая зондовая микроскопия противообледенительной жидкости

3.        

Дорофеев Александр Андреевич

Дизайн и изготовление решёток для оптической связи с интегральным оптическим чипом из нитрида кремния

4.        

Дощатова Елена Валерьевна

Определение относительного содержания кислорода и ванадия методом энергодисперсионного анализа

5.        

Дюмин Вячеслав Сергеевич

Исследование эффекта электронного умножения в фоточувствительных приборах с переносом заряда

6.        

Завидовский Илья Алексеевич

Влияние sp1-связей на удельное сопротивление углеродных плёнок, полученных методом ионно-плазменного синтеза

7.        

Захаркина Евдокия Ивановна

Синтез двумерного MoS2 методом CVD и исследование его спектров комбинационного рассеяния света

8.        

Исаева Анастасия Александровна

Островковые тонкие пленки: отработка режимов формирования

9.        

Липкова Елизавета Алексеевна

Исследование легированных кремниевых нанонитей методами колебательной спектроскопии

10.    

Лукашкин Вадим Алексеевич

Электрофизические параметры полупроводникового алмаза

11.    

Матюшкин Яков Евгеньевич

Туннельная спектроскопия плотности состояний одностенной углеродной нанотрубки

12.    

Мележенко Данил Евгеньевич

Улучшение свойств композита на основе серы и углеродных материалов с помощью модифицированных углеродных нанотрубок для литий-серных аккумуляторов

13.    

Мельников Александр Евгеньевич

Наноэлектронный трансдьюсер для акустоэлектронного нанобиосенсора

14.    

Морозова Елизавета Константиновна

Разработка и изготовление молекулярного одноэлектронного транзистора с изолированными боковыми затворами

15.    

Назаров Кадыр Курбанович

Исследование параметров теплообмена в современных тепловых трубах

16.    

Тютюник Андрей Сергеевич

Электрические характеристики псевдо-легированного фуллерена углеродом

17.    

Mohammed Wael

Synthesis, characterization and transport properties of the vanadium nitride thin films

 

 

Участники

Лукашкин Вадим Алексеевич
Лукашкин Вадим Алексеевич
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), Факультет электроники (ФЭЛ), Кафедра микро- и наноэлектроники (МНЭ), Санкт-Петербург, Россия (2019)
Китаева Вероника Юрьевна
Китаева Вероника Юрьевна
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, Москва, Россия (2018)
Мельников Александр Евгеньевич
Мельников Александр Евгеньевич
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников, Москва, Россия (2018)
Морозова Елизавета Константиновна
Морозова Елизавета Константиновна
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников, Москва, Россия (2019)
абдикаримов азамат эгамберганович
абдикаримов азамат эгамберганович
Ургенчский государственный университет, Ургенч, Узбекистан (2006)
Huseynov Elchin M
Huseynov Elchin M
Национальная академия наук Азербайджана, Баку, Азербайджан (2014)
Арутинов Никита Эдуардович
Арутинов Никита Эдуардович
Московский физико-технический институт, Москва, Россия (2025)
Божьев Иван Вячеславович
Божьев Иван Вячеславович
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников, Москва, Россия (2020)
Тютюник Андрей Сергеевич
Тютюник Андрей Сергеевич
Крымский федеральный университет имени В. И. Вернадского, Симферополь, Россия (2020)
Рыбин Максим Геннадьевич
Рыбин Максим Геннадьевич
Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН, Москва, Россия (2012)
Твердотельная наноэлектроника
Когда
Во сколько

14:00 ‐ 19:00

Где

Физический факультет, ауд. Ц-25, Ц-41
Ленинские горы, МГУ имени М.В.Ломоносова Дом 1, строение 2, Физический факультет

Секция

Твердотельная наноэлектроника